随着 AI 技术发展进入白热化，内存芯片已成为不可或缺的关键零件，但因各大厂扩产保守，导致市场严重缺货。美国券商 William Blair 的分析师指出，这种供需失衡的局面将让美光掌握极大的定价权。预计到 2026 年，美光的高带宽内存（HBM）营收将迎来爆发式成长，未来两年的总获利增幅更有望突破 250%。尽管面临三星等劲敌追赶以及产业周期性调整的风险，但目前美光的本益比仍低于历史平均，显示其股价在 AI 基建持续扩张的背景下，依然具备相当的投资吸引力。展望 2026 年，内存将从单纯的零组件跃升为 AI 效能的决定性因素，这意味着美光的产业地位将更趋向于核心战略物资。虽然三星通过辉达认证会带来竞争压力，但整体 AI 市场的饼正急速扩大，美光凭借技术领先优势，其获利高峰预计会出现在 2026 年下半年至 2027 年。投资人应关注 HBM 产能的实际开出状况，若能维持目前的毛利率水平，美光有望在 2026 年迎来估值修复的喷发行情。

0123_伦敦金操作计划

可操作区间：4910~5000支撑: 4850 / 4750

当前价格位于4910~5000区间，采取区间突破操作方式：

突破5000：可尝试多单，目标看向更高点位（如5100或更高）。

区间震荡操作: 4910~5000区间内，可采取区间震荡操作方式：

价格触及 5000并回调可尝试空单，目标看向区间下沿（4910）。

价格触及 4910并反弹可尝试多单，目标看向区间上沿（5000）。

止损设置：建议设置在 5~8 美元范围内。

止盈设置：建议设置在 5~100 美元范围内，根据市场波动灵活调整。

风险控制：无论采取哪种操作方式，务必在入场前设置好止损止盈。

分批减仓：采用突破操作时，建议在第一目标价达到时减仓 30%，剩余仓位继续持有以最大化利润。

【以上内容仅代表个人观点，不代表平台立场，仅供参考，不构成任何操作建议。请做好风险控制，谨慎操作。】

0123_伦敦银操作计划

102.00 / 可操作区间95.93~98.90支撑: 90.56

当前价格位于95.93~98.90区间，建议采取区间突破操作方式：

突破98.90：可尝试多单，目标看向更高压力位102.00

若价格仍维持在95.93~98.90区间内，可采取区间震荡操作方式：

价格触及98.90并回调：可尝试空单，目标看向区间下沿95.93

价格触及95.93并反弹：可尝试多单，目标看向区间上沿98.90

止损设定：建议设置在0.2~0.3美元范围内。止盈设定：建议设置在0.3~3美元范围内，根据市场波动灵活调整。

风险控制：无论采取哪种操作方式，务必在入场前设置好止损止盈。

分批减仓：采用突破操作时，建议在第一目标价达到时减仓30%，剩余仓位继续持有以最大化利润。

【以上内容仅代表个人观点，不代表平台立场，仅供参考，不构成任何操作建议。请做好风险控制，谨慎操作。】